温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MMBT3906FA-7B
PNP 电流:200mA 电压:40V
- 描述
- 特性：BVCEO > -40V。 IC = -200mA 高集电极电流。 PD = 435mW 功率耗散。 0.48mm² 封装尺寸，比 SOT23 小 16 倍。 0.4mm 封装高度，最小化板外轮廓。 互补 NPN 型 MMBT3904FA。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- MMBT3906FA-7B
- 商品编号
- C260862
- 商品封装
- DFN(1x0.6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 200mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 435mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 100@10mA,1.0V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 300MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV@10mA,1mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 1个PNP |