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BRCS200P03ZJ
1个P沟道 耐压:30V 电流:7.8A
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- 描述
- DFN2×2B-6L 塑封封装 P 沟道 MOS 场效应管 笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理 -30V -7.8A
- 品牌名称
- BLUE ROCKET(蓝箭)
- 商品型号
- BRCS200P03ZJ
- 商品编号
- C22448984
- 商品封装
- DFN-6L(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.009克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.43nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 350pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
DFN2x2B - 6L塑封封装P沟道MOS场效应管。 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN2 x 2B-6L Plastic Package.
商品特性
- VDS(V) = -30V
- ID = -7.8A
- RDS(ON) < 22mΩ(VGS = -10V)
- RDS(ON) < 35mΩ(VGS = -4.5V)
- 无卤产品。HF Product.
应用领域
- 笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理。
- Power Management in Notebook Computer,Portable Equipment and Battery Powered Systems.