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BRCS120P03ZC

1个P沟道 耐压:30V 电流:24A

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描述
PDFN5×6 封装 P 沟道场效应管 低电阻可最大地降低导电损耗;低栅极电荷,可实现快速切换;低热阻 电池管理。-30V -24A
商品型号
BRCS120P03ZC
商品编号
C22448991
商品封装
PDFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.12克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)24A
导通电阻(RDS(on))12mΩ@10V
耗散功率(Pd)38W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)35nC@10V
输入电容(Ciss)2.1nF
反向传输电容(Crss)210pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)340pF

商品概述

PDFN5x6 封装 P 沟道场效应管。 P-Channel MOSFET in a PDFN 5x6 Plastic Package.

商品特性

  • 超快速体二极管
  • 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.101Ω(典型值)
  • 易于驱动
  • 无铅电镀、无卤模塑化合物,符合 RoHS 要求

应用领域

  • 适用于软开关升压 PFC 开关、半桥(HB)、有源半桥(AHB)或 LLC 半桥和全桥拓扑。
  • 如移相桥(ZVS)、LLC 应用——服务器电源、电信电源、电动汽车充电、太阳能逆变器。

数据手册PDF