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BRCS4443SC
1个P沟道 耐压:40V 电流:6A
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- 描述
- SOP-8 塑封封装 P 沟道 MOS 场效应管 电池保护，负载开关 -40V -6A
- 品牌名称
- BLUE ROCKET(蓝箭)
- 商品型号
- BRCS4443SC
- 商品编号
- C22448999
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.175nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 72pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 97pF |
商品概述
PDFN3×3-8L塑封封装互补增强模式MOS场效应管。 PDFN3×3-8L塑封封装互补增强模式MOS场效应管。
商品特性
- N沟道、P沟道
- 漏源电压VDS = 30 V
- 漏源电压VDS = -30 V
- 漏极电流ID = 20A
- 漏极电流ID = -12A
- 导通电阻RDS(ON) < 25 mΩ（栅源电压VGS = 10V）
- 导通电阻RDS(ON) < 60 mΩ（栅源电压VGS = -10V）
- 导通电阻RDS(ON) < 40 mΩ（栅源电压VGS = 4.5V）
- 导通电阻RDS(ON) < 85 mΩ（栅源电压VGS = -4.5V）
- 无卤产品。
应用领域
- 用于高功率DC/DC转换和功率开关。
- 适用于作负载开关或脉宽调制应用。
- 这些器件非常适合用于高效开关型DC/DC转换器和开关电源。
- 适用于作负载开关或用于脉宽调制应用。