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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BRCS20N15DP

N沟道MOSFET,电流:13.5A,耐压:150V

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描述
TO-252 塑封封装 N 沟道场效应管 RDS(on)小,门电荷低,Crss小,开关速度快,沟槽工艺,无卤产品 用于低压电路如:汽车电路、DC/DC 转换、便携式产品的电源高效转换、TV/Monitor 电源板卡 150V 20A
商品型号
BRCS20N15DP
商品编号
C22449020
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.36克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))90mΩ@10V
耗散功率(Pd)105W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)22nC@10V
输入电容(Ciss)1.7nF
反向传输电容(Crss)58pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

TO - 252塑封封装P沟道MOS场效应管。 P沟道MOSFET,采用TO - 252塑料封装。

商品特性

  • RDS(on)小、栅极电荷低、Crss小、开关速度快。
  • 无卤产品。

应用领域

  • 适用于低压应用,如汽车电路、DC/DC转换器、便携式和电池供电产品电源管理的高效开关,以及电视或显示器的电源管理接口卡。

数据手册PDF