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BRCS20N15DP

N沟道MOSFET,电流:13.5A,耐压:150V

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描述
TO-252 塑封封装 N 沟道场效应管 RDS(on)小,门电荷低,Crss小,开关速度快,沟槽工艺,无卤产品 用于低压电路如:汽车电路、DC/DC 转换、便携式产品的电源高效转换、TV/Monitor 电源板卡 150V 20A
商品型号
BRCS20N15DP
商品编号
C22449020
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.36克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))90mΩ@10V
耗散功率(Pd)105W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)22nC@10V
输入电容(Ciss)1.7nF@25V
反向传输电容(Crss)58pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

数据手册PDF