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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BRCS18N20DP

1个N沟道 耐压:200V 电流:18A

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描述
TO-252 塑封封装 N 沟道场效应管 网络、负载开关、LED 应用 200V 18A
商品型号
BRCS18N20DP
商品编号
C22449021
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.36克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)18A
导通电阻(RDS(on))170mΩ@10V
耗散功率(Pd)90W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)27nC@10V
输入电容(Ciss)830pF
反向传输电容(Crss)65pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)150pF

商品概述

TO-263 塑封封装的 N 沟道场效应管。

商品特性

  • VDS = 200 V;ID = 18 A;VGS = ± 20 V
  • 10 V时RDS(on) ≤ 170 mΩ(典型值130 mΩ)
  • 4.5 V时RDS(on) ≤ 200 mΩ(典型值150 mΩ)
  • 无卤产品。

应用领域

-网络-负载开关-LED应用

数据手册PDF