温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BRCS055N10SHBD
1个N沟道 耐压:100V 电流:120A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- TO-263 塑封封装 N 沟道场效应管 低电阻,开关速度快，无卤产品 高频开关和同步整流、BMS、电机 100V 120A
- 品牌名称
- BLUE ROCKET(蓝箭)
- 商品型号
- BRCS055N10SHBD
- 商品编号
- C22449027
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.63克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.35nF |
商品概述
TO-263 塑封封装的 N 沟道场效应管。 N 沟道 MOSFET,采用 TO-263 塑料封装。
商品特性
- VDS = 100 V,ID = 120 A
- 10 V 时,RDS(on) ≤ 5.5 mΩ(典型值 4.7 mΩ)
- 4.5 V 时,RDS(on) ≤ 7.0 mΩ(典型值 6.0 mΩ)
- 无卤产品。
应用领域
-高频开关和同步整流-电池管理系统(BMS)-电机-高频开关和同步整流-电池管理系统(BMS)-电机