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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BRCS055N10SHBD

1个N沟道 耐压:100V 电流:120A

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描述
TO-263 塑封封装 N 沟道场效应管 低电阻,开关速度快,无卤产品 高频开关和同步整流、BMS、电机 100V 120A
商品型号
BRCS055N10SHBD
商品编号
C22449027
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
1.63克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))5.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)140W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)78nC@10V
输入电容(Ciss)3.9nF
反向传输电容(Crss)150pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.35nF

商品概述

这些功率MOSFET采用Cmos专有的平面条形DMOS技术制造。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。

商品特性

  • 快速开关
  • 100%雪崩测试
  • 改善的dv/dt能力

应用领域

  • 适配器
  • 开关模式电源
  • 不间断电源

数据手册PDF