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BRCS200N04DSC

2个N沟道 耐压:40V 电流:8A

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描述
SOP-8 塑封封装 N 沟道 Power Trench MOS 双场效应管 低导通电阻,低门电荷,广泛应用于功率转换应用,无卤产品。电池保护,负载开关,电源管理 40V 8A
商品型号
BRCS200N04DSC
商品编号
C22449006
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.12克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))36mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)6.5nC@10V
输入电容(Ciss)880pF@10V
反向传输电容(Crss)260pF@10V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

PDFN 5×6 封装 N 沟道场效应管。

商品特性

  • 低导通电阻,可最大程度降低传导损耗
  • 低栅极电荷,可实现快速开关
  • 低热阻
  • 无卤产品

应用领域

  • 高频开关和同步整流-DC 电机驱动器

数据手册PDF