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BRCS4828SC
1个N沟道 耐压:60V 电流:4.5A
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- 描述
- SOP-8 塑封封装 N 沟道双芯片场效应管 使用先进沟槽工艺制造而成，拥有良好的 RDS(ON) 参数和极低的栅极电荷。用于作负载开关或脉宽调制应用 60V 4.5A
- 品牌名称
- BLUE ROCKET(蓝箭)
- 商品型号
- BRCS4828SC
- 商品编号
- C22449008
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 665pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 76pF |
商品概述
SOP-8 塑封封装的 N 沟道增强型双模式场效应管。
商品特性
- 漏源电压(V) = 60V
- 漏极电流 = 4.5A(栅源电压 = 10V)
- 导通电阻 < 50mΩ(栅源电压 = 10V)
- 导通电阻 < 65mΩ(栅源电压 = 4.5V)
应用领域
- 用作负载开关或用于脉宽调制应用。
- 采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻和低栅极电荷。
- 该器件适用于作为负载开关或用于脉宽调制应用...