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BRCS015N04SZC
1个N沟道 耐压:40V 电流:170A
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- 描述
- PDFN5×6 封装 N 沟道场效应管 低电阻可最大地降低导电损耗；低栅极电荷，可实现快速切换；低热阻；无卤产品 电池管理 40V 170A
- 品牌名称
- BLUE ROCKET(蓝箭)
- 商品型号
- BRCS015N04SZC
- 商品编号
- C22448995
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.127克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2nF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的沟槽（TRENCH）技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 90 A
- 典型RDS(ON) = 3.6 mΩ（VGS = 10 V时）
- 典型RDS(ON) = 5.2 mΩ（VGS = 4.5 V时）
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 低Crss
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- PWM应用-负载开关-电源管理