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BRCS150P02ZJ

1个P沟道 耐压:20V 电流:11A

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描述
DFN 2×2B-6L 塑封封装 P 沟道 MOS 场效应管 用于电源管理,便携式设备和电池供电系统 -20V -11A
商品型号
BRCS150P02ZJ
商品编号
C22448985
商品封装
DFN-6L(2x2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.016克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)11A
导通电阻(RDS(on))17mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)3W
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12.7nC@4.5V
输入电容(Ciss)2.55nF
反向传输电容(Crss)190pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)205pF

商品概述

DFN 2x2B-6L 塑封封装 P 沟道MOS 场效应管。 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 2x2B -6L Plastic Package.

商品特性

  • VDS(V)=-20V
  • ID=-11A
  • RDS(ON)@-4.5V (Typ.15mΩ)
  • 无卤产品。HF Product.

应用领域

  • 用于电源管理,便携式设备和电池供电系统。
  • Power Management in Notebook computer, Portable Equipment and Battery powered systems.

数据手册PDF