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BRCS120P04ZC

1个P沟道 耐压:40V 电流:45A

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描述
PDFN5×6 封装 P 沟道场效应管 低电阻可最大地降低导电损耗;低栅极电荷,可实现快速切换;低热阻;无卤产品 笔记本电脑交流输入负载开关,电池保护充电/放电。 -40V -45A
商品型号
BRCS120P04ZC
商品编号
C22448990
商品封装
PDFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.12克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)45A
导通电阻(RDS(on))25mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)40W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)4.76nF
反向传输电容(Crss)1.96nF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)2.8nF

商品概述

PDFN 3×3 A-8L 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。 PDFN 3×3 A-8L 塑封封装的 N 沟道增强型场效应管。

商品特性

  • 漏源电压(V) = 60V
  • 漏极电流 = 24A(栅源电压 = ±20V)
  • 10V 时导通电阻 ≤ 13mΩ(典型值 11.5mΩ)
  • 无卤产品。

应用领域

  • 用于高功率 DC/DC 转换和功率开关。
  • 这些器件非常适合用于高效开关型 DC/DC 转换器和开关电源。

数据手册PDF