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HCDDFN2-T3.3B

双向ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：9A

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描述: 该器件为单路双向ESD静电抑制二极管，具备3.3V最大连续工作电压(VRWM)，能承受9A峰值瞬态电流(IPP)冲击，兼具15皮法低结电容(CJ)，专为高密度电路设计，旨在实现优异的信号透明度与静电防护效能。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HCDDFN2-T3.3B
商品编号: C22440389
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.005333克(g)

商品参数

商品概述

HCDDFN2-T3.3B可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了同类最佳的保护。它为设计师提供了灵活性，可在不适合使用阵列的应用中保护一条双向线路。封装形式为DFN1006-2L。

商品特性

小外形尺寸
低本体高度
在8×20μs脉冲下，峰值功率高达105瓦
低泄漏电流
响应时间通常小于1 ns
符合人体模型3级ESD评级

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	3.3V
	钳位电压	11V
	峰值脉冲电流(Ipp)	9A
	峰值脉冲功率(Ppp)	100W@8/20us

	属性	参数值
	击穿电压(VBR)	6.5V
	反向电流(Ir)	50nA
	通道数	单路
	防护等级	IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	15pF