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HSESD5V0V1BLA

双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：45A

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描述: 此款双向ESD静电保护二极管专为单通道应用优化，耐压5V，具有45A的峰值电流吸收能力，为电路提供强效静电冲击防御。15pF电容值适配于较低频或非时间关键型信号路径，确保在多种电子设备中实现可靠防护与信号完整性，强化系统整体的静电防护水平。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HSESD5V0V1BLA
商品编号: C22440401
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0069克(g)

商品参数

商品概述

HSESD5V0V1BLA可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了同类最佳的保护。它使设计师能够在不适合使用阵列的应用中灵活保护一条双向线路。封装形式为DFN1006 - 2L。

商品特性

高速数据线的瞬态保护
IEC 61000 - 4 - 2（ESD）±30kV（接触）
IEC 61000 - 4 - 2（ESD）±30kV（空气）
IEC 61000 - 4 - 4（EFT）40A（5/50 ns）
峰值功率耗散：675W（8/20μs）
工作电压：5V
超小封装（1.0mm×0.6mm×0.5mm）
保护一条I/O线路
低钳位电压
低泄漏电流

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	5V
	钳位电压	15V
	峰值脉冲电流(Ipp)	45A
	峰值脉冲功率(Ppp)	675W@8/20us
	击穿电压(VBR)	9V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	1uA
	通道数	单路
	工作温度	-55℃~+150℃
	防护等级	IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	15pF