温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

HESDM3051N2T5G

双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：45A

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 这款双向ESD保护二极管专为单路信号保护设计，5V工作电压下稳定可靠，45A峰值电流处理能力凸显其强大的静电防护性能。尽管电容值为15pF，适合于不太敏感于信号延迟的应用，它依然是确保电子设备免受静电损坏的高效守护者，提升系统整体的稳健性。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HESDM3051N2T5G
商品编号: C22440399
商品封装: DFN1006-2
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0069克(g)

商品参数

商品概述

HESDM3051N2T5G可保护敏感半导体组件，避免其因静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件而损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了同类最佳的保护。它使设计人员能够在不适合使用阵列的应用中灵活保护一条双向线路。封装形式为DFN1006 - 2L。

商品特性

高速数据线的瞬态保护
IEC 61000 - 4 - 2（ESD）±30kV（接触）
IEC 61000 - 4 - 2（ESD）±30kV（空气）
IEC 61000 - 4 - 4（EFT）40A（5/50 ns）
峰值功率耗散：675W（8/20us）
工作电压：5V
超小封装（1.0mm×0.6mm×0.5mm）
保护一条I/O线路
低钳位电压
低泄漏电流

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	5V
	钳位电压	15V
	峰值脉冲电流(Ipp)	45A
	峰值脉冲功率(Ppp)	675W@8/20us
	击穿电压(VBR)	9V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	1uA
	通道数	单路
	工作温度	-55℃~+150℃
	防护等级	IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	15pF