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HD5V0L1B2LP4-7B

双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：45A

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描述: 这款双向ESD防护二极管专为单线路部署，耐压5V，具备强大的45A峰值电流处理能力，能有效阻断静电冲击，保护电路安全。其15pF电容值虽较高，但仍适用于对信号速度要求不那么严格的场合，提供可靠的静电防护解决方案，增强电子设备的稳定性。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HD5V0L1B2LP4-7B
商品编号: C22440396
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.006869克(g)

商品参数

商品概述

HD5V0L1B2LP4 - 7B可保护敏感半导体组件，避免其因静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件而损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了同类最佳的保护。它为设计师提供了灵活性，可在不适合使用阵列的应用中保护一条双向线路。封装类型为DFN1006 - 2L。

商品特性

高速数据线的瞬态保护
IEC 61000 - 4 - 2（ESD）：±30kV（接触），±30kV（空气）
IEC 61000 - 4 - 4（EFT）：40A（5/50 ns）
峰值功率耗散：675W（8/20μs）
工作电压：5V
超小封装（1.0mm×0.6mm×0.5mm）
保护一条I/O线路
低钳位电压
低泄漏电流

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	5V
	钳位电压	15V
	峰值脉冲电流(Ipp)	45A
	峰值脉冲功率(Ppp)	675W@8/20us
	击穿电压(VBR)	9V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	1uA
	通道数	单路
	工作温度	-55℃~+150℃
	防护等级	IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	15pF