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H824014

ESD 5V截止峰值浪涌电流：4A@8/20us

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描述: 此款ESD保护二极管采用单向技术，配置四通道并联设计，专为多路信号线防护而生。在5伏电压下稳定工作，具备承受4安培瞬时电流的能力，为电路板穿上静电防护盔甲。加之仅0.5皮法的超低电容值，确保高速信号畅通无阻，是精密电子设备抗静电干扰的得力助手。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: H824014
商品编号: C22440393
商品封装: SOT-23-6L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0275克(g)

商品参数

商品概述

H824014是一款5通道超低电容轨钳位ESD保护二极管阵列。每个通道由一对ESD二极管组成，可将正或负的ESD电流引导至正电源轨或负电源轨。一个齐纳二极管集成在阵列的正负电源轨之间。在典型应用中，负电源轨引脚（指定为GND）连接到系统地。正的ESD电流通过一个ESD二极管和齐纳二极管被引导至地，正的ESD电压被钳位在齐纳电压。

商品特性

5通道ESD保护
提供符合IEC61000-4-2第4级的ESD保护
空气放电：±27kV
接触放电：±15kV
通道I/O对地电容：0.4pF（最大值）
通道I/O间电容：0.8pF（最大值）
低钳位电压
低工作电压
改进的齐纳结构
优化的封装，便于高速数据线PCB布局
符合RoHS标准

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	-
	反向截止电压(Vrwm)	5V
	钳位电压	8.5V；1.8V
	峰值脉冲电流(Ipp)	4A@8/20us
	峰值脉冲功率(Ppp)	55W@8/20us
	击穿电压(VBR)	6V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	1uA
	通道数	五路
	工作温度	-55℃~+125℃
	防护等级	IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	0.8pF