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HAQ1205-01ETG

双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：5.5A@8/20us

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描述: 这款ESD静电保护二极管设计为双向单通道，专为精密电路防护而生。它能在5V的电压下稳定工作，具备5.5A的峰值脉冲电流处理能力，有效抵御瞬态高压冲击。其低电容值10pF，确保高速信号传输不受干扰，为敏感电子设备提供高效、可靠的静电防护解决方案。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HAQ1205-01ETG
商品编号: C22440390
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.007833克(g)

商品参数

商品概述

HAQ1205 - 01ETG可保护敏感半导体元件，避免其因静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件而损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了同类最佳的保护。它为设计师提供了灵活性，可在不适合使用阵列的应用中保护一条双向线路。封装形式为DFN1006 - 2L（SOD - 882）。

商品特性

低泄漏
响应时间通常小于1 ns
符合人体模型3级ESD评级
具备IEC61000 - 4 - 2 4级ESD保护
这些是无铅器件
产品材料符合RoHS要求且无卤素

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	5V
	钳位电压	8.5V
	峰值脉冲电流(Ipp)	5.5A@8/20us
	峰值脉冲功率(Ppp)	66W@8/20us
	击穿电压(VBR)	8V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	300nA
	通道数	单路
	工作温度	-40℃~+125℃
	防护等级	IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	10pF