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HDESD3V3E1BL-7B

双向ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：9A@8/20us

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描述: 此ESD保护装置为单通道双向二极管，额定电压VRWM为3.3伏特，能承受9安培峰值瞬态电流IPP，具有15皮法电容CJ，确保了在高灵敏电路应用中既有效抑制静电放电，又最大限度地减少了对信号传输的影响。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HDESD3V3E1BL-7B
商品编号: C22440392
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.005444克(g)

商品参数

商品概述

HDESD3V3E1BL - 7B可保护敏感半导体组件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了同类最佳的保护。它使设计人员能够在不适合使用阵列的应用中灵活保护一条双向线路。封装为DFN1006 - 2L。

商品特性

小外形尺寸
低本体高度
8×20μs脉冲下峰值功率高达105瓦
低泄漏电流
响应时间通常小于1 ns
人体模型3级ESD评级

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	3.3V
	钳位电压	11V
	峰值脉冲电流(Ipp)	9A@8/20us
	峰值脉冲功率(Ppp)	100W@8/20us

	属性	参数值
	击穿电压(VBR)	6.5V
	反向电流(Ir)	50nA
	通道数	单路
	防护等级	IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	15pF