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HESDLC5V0L2B-TP

双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：5.5A@8/20us

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描述: 该ESD保护二极管为双向类型，专为单一信号通路设计。它在5V电压下稳定运作，能承受高达5.5A的瞬时电流冲击，拥有10皮法的低电容值，确保高速信号无损通过，为各种电子设备的静电防护需求提供了一个高性能、小体积的解决方案。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HESDLC5V0L2B-TP
商品编号: C22440388
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.008007克(g)

商品参数

商品概述

HESDLC5V0L2B - TP可保护敏感半导体组件，避免其因静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件而损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了同类最佳的保护。它使设计人员能够在不适合使用阵列的应用中灵活保护一条双向线路。封装形式为DFN1006 - 2L（SOD - 882）。

商品特性

低泄漏
响应时间通常小于1 ns
人体模型3级ESD评级
IEC61000 - 4 - 2 4级ESD保护
这些是无铅器件
产品材料符合RoHS要求且无卤

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	5V
	钳位电压	12V
	峰值脉冲电流(Ipp)	5.5A@8/20us
	峰值脉冲功率(Ppp)	66W@8/20us
	击穿电压(VBR)	8V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	300nA
	通道数	单路
	工作温度	-40℃~+125℃
	防护等级	IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	10pF