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HAZ1213-04F

ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：4A@8/20us

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描述: 这款ESD静电保护二极管专为精密电路设计，采用单向保护技术，配置了4个通道，能有效阻挡3.3V以上电压引起的瞬态冲击。每通道可承受高达4A的峰值电流，同时具有低电容值0.6pF，确保高速信号完整性，非常适合于保护敏感电子设备免受静电放电损害，保障系统稳定运行。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HAZ1213-04F
商品编号: C22440381
商品封装: DFN2510-10L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.016867克(g)

商品参数

商品概述

HAZ1213 - 04F是一款4通道超低电容轨钳位ESD保护二极管阵列。每个通道由一对二极管组成，可将正或负ESD电流导向正或负轨。在正负电源轨之间集成了一个齐纳二极管。在典型应用中，负轨引脚（指定为GND）与系统接地相连。正ESD电流通过ESD二极管和齐纳二极管导向接地，正ESD电压被钳位到齐纳电压。封装为DFN2510 - 10L。

商品特性

4通道ESD保护
提供符合IEC61000 - 4 - 2 4级标准的ESD保护
±15kV空气放电
±10kV接触放电
通道I/O到GND电容：最大0.4pF
通道I/O到I/O电容：最大0.6pF
低钳位电压
低工作电压
改进的齐纳结构
优化封装，便于高速数据线PCB布局
符合RoHS标准且无卤

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	-
	反向截止电压(Vrwm)	3.3V
	钳位电压	20V
	峰值脉冲电流(Ipp)	4A@8/20us
	峰值脉冲功率(Ppp)	70W@8/20us
	击穿电压(VBR)	5.6V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	1uA
	通道数	四路
	工作温度	-40℃~+125℃
	防护等级	IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	0.4pF；0.8pF