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HSC1333-01ETG

双向ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：7A

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描述: 此款双向ESD静电保护二极管，专为单通道电路设计，3.3V电压下稳定工作，能承受7A瞬时电流冲击，为敏感元件筑起防静电屏障。仅10pF的低电容值确保高速信号流畅无阻，是保护各类精密电子设备免受静电损害的理想组件，提升系统可靠性与数据传输质量。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HSC1333-01ETG
商品编号: C22440383
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0049克(g)

商品参数

商品概述

HSC1333 - 01ETG可保护敏感半导体组件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了同类最佳的保护。它使设计人员能够在不适合使用阵列的应用中灵活保护一条双向线路。封装形式为DFN1006 - 2L。

商品特性

高速数据线的瞬态保护
IEC 61000 - 4 - 2（ESD）：±8kV（接触），±15kV（空气）
IEC 61000 - 4 - 4（EFT）：40A（5/50 ns）
峰值功率耗散：84W（8/20μs）
工作电压：3.3V
超小封装（1.0mm×0.6mm×0.5mm）
保护一条I/O线路
低钳位电压
低泄漏电流

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	3.3V
	钳位电压	12V
	峰值脉冲电流(Ipp)	7A
	峰值脉冲功率(Ppp)	84W@8/20us
	击穿电压(VBR)	3.6V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	1uA
	通道数	单路
	工作温度	-55℃~+150℃
	防护等级	IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	10pF