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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 480pF |
商品概述
这款P沟道增强型功率场效应晶体管采用安森美半导体专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺经过特别设计，可最大限度降低导通电阻并提供卓越的开关性能。
商品特性
- -5 A，-20 V。在VGS = -4.5 V时，RDS(on) = 0.047 Ω
- 在VGS = -2.5 V时，RDS(on) = 0.070 Ω
- 开关速度快。
- 高密度单元设计，实现极低的RDS(on)
- 具备高功率和高电流处理能力。
应用领域
- 负载开关-DC/DC转换器-电池保护