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HCG65140DAA

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描述: 为您献上高性能氮化镓场效应管，采用先进N沟道设计。该器件具备650V高漏源电压承受力，连续漏极电流高达17A，满足高功率需求。更令人瞩目的是其100毫欧低导通电阻，在确保电流顺畅通过的同时，大幅度降低能耗，提升系统效率。适配于各类高能效电源转换解决方案，为您的创新电子产品带来前所未有的速度与能效比，引领科技绿色升级。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HCG65140DAA
商品编号: C22396444
商品封装: DFN-8(8x8)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.3克(g)

商品参数

参数完善中