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CMH65R105
650V N沟道超结功率MOSFET
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- 描述
- COOLMOS，TO-247，N沟道，耐压：650V，电流：31A，10V内阻：100mΩ，功率：278W，CISS(Typ)：2200PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMH65R105
- 商品编号
- C22391067
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.76克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 278W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
130N85A采用先进的技术和设计，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。 该器件非常适合用于消费类、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
~~- 低导通电阻-快速开关-符合RoHS标准
应用领域
- 逆变器-不间断电源