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CMSA3811A
N沟道+P沟道 耐压:30V 电流:16A
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- 描述
- MOS管，DFN-8 5x6，N沟道+P沟道，耐压：30V/-30V，电流：16A/-15A，10V内阻：12mΩ/58mΩ，4.5V内阻：21mΩ/66mΩ，功率：15W，CISS(Typ)：980PF/1000PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA3811A
- 商品编号
- C22391073
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@10V；45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF；980pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF；55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF；110pF |
商品概述
CMSA50N06N将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关应用
- 电机、灯具和螺线管控制
- LED照明和LED背光驱动器