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CMU3090L
N沟道 耐压:30V 电流:90A
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- 描述
- MOS管，TO-251，N沟道，耐压：30V，电流：90A，10V内阻：8.5mΩ，4.5V内阻：13mΩ，功率：85W，CISS(Typ)：1200PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMU3090L
- 商品编号
- C22391132
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.610313克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
CMD482/CMU482采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)。该器件非常适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- LED控制器
- 电源
- DC-DC转换器