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CMU50N06N
60V N沟道MOSFET
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- 描述
- MOS管，TO-251A，N沟道，耐压：60V，电流：50A，10V内阻：14mΩ，4.5V内阻：16mΩ，功率：75W，CISS(Typ)：2400PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMU50N06N
- 商品编号
- C22391134
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.610938克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
514采用先进的沟槽技术和设计，可实现出色的RDS(ON)。该器件适用于PWM、负载开关和通用应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 驱动要求简单
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电机控制与驱动
- 电池管理
- 不间断电源