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MJD42CT4G
电流:6A 电压:100V
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- 描述
- 三极管，TO-252，PNP，VCEO：-100V，VCBO：-100V，IC：-6A
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- MJD42CT4G
- 商品编号
- C22391135
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3725克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 集电极电流(Ic) | 6A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 直流电流增益(hFE) | 75@3A,4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 3MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V@6A,600mA | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |