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CMU35N06B
N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- MOS管，TO-251A，N沟道，耐压：60V，电流：30A，10V内阻：36mΩ，4.5V内阻：42mΩ，功率：40W，CISS(Typ)：670PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMU35N06B
- 商品编号
- C22391133
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.6125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 30V/27.5A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) = 9 mΩ（最大值）
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 14 mΩ（最大值）
- 100%进行UIS + Rg测试
- 静电防护
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件（符合RoHS标准）
应用领域
- 笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理。
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