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CMSV65R190Q
N沟道 耐压:650V 电流:20A
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- 描述
- COOLMOS，DFN-8 8x8，N沟道，耐压：650V，电流：20A，10V内阻：199mΩ，功率：140W，CISS(Typ)：1460PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSV65R190Q
- 商品编号
- C22391130
- 商品封装
- DFN-8(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2645克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 199mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.43nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
CMSV65R190Q是一款功率MOSFET，采用Cmos先进的超结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过使用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件为设计师带来低电磁干扰（EMI）优势，同时具备低开关损耗。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 服务器和电信电源
- 太阳能逆变器
- 适配器