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CMSA80P02
P沟道 耐压:20V 电流:80A
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- 描述
- MOS管，DFN-8 5x6，P沟道，耐压：-20V，电流：-80A，4.5V内阻：5.5mΩ，功率：85W，CISS(Typ)：6150PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA80P02
- 商品编号
- C22391077
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1405克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 600pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 900pF |
商品特性
- 采用高密单元设计，实现极低的导通电阻RDS(on)。
- 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力。
- 负载/电源开关。
- 接口开关。