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CMSC50N06N
N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- MOS管，DFN-8 3.3x3.3，N沟道，耐压：60V，电流：50A，10V内阻：14mΩ，4.5V内阻：16mΩ，功率：50W，CISS(Typ)：2500PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSC50N06N
- 商品编号
- C22391078
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.064克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.5nF |
商品特性
- 低导通电阻：RDS(ON)
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 2KV HBM静电防护