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CMP50N06N
N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- MOS管，TO-220，N沟道，耐压：60V，电流：50A，10V内阻：14mΩ，4.5V内阻：16mΩ，功率：145W，CISS(Typ)：2500PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP50N06N
- 商品编号
- C22391070
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.6915克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 145W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.5nF |
商品概述
MPT012N08-T是N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的双沟槽技术，可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。这是适用于电池管理系统（BMS）和大电流开关应用的理想器件。
商品特性
~~- 快速开关-低导通电阻-低栅极电荷-低反向传输电容-高雪崩耐量-符合RoHS标准的产品
应用领域
- 电池管理系统(BMS)-大电流开关应用