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CMF65R105
650V N沟道超结功率MOSFET
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- 描述
- COOLMOS，TO-220F，N沟道，耐压：650V，电流：31A，10V内阻：100mΩ，功率：40W，CISS(Typ)：2200PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF65R105
- 商品编号
- C22391062
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.862克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品特性
- 超快体二极管
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 多层外延芯片技术
应用领域
- 充电器
- 适配器
- 电源