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CMB044N10B
N沟道 耐压:100V 电流:120A
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- 描述
- MOS管，TO-263，N沟道，耐压：100V，电流：120A，10V内阻：4.2mΩ，功率：227W，CISS(Typ)：7900PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB044N10B
- 商品编号
- C22391050
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.6925克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 227W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 7.9nF |
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