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CMD20P09
P沟道 耐压:90V 电流:20A
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- 描述
- MOS管，TO-252，P沟道，耐压：-90V，电流：-20A，10V内阻：140mΩ，4.5V内阻：160mΩ，功率：75W，CISS(Typ)：6500PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD20P09
- 商品编号
- C22391055
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3745克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 90V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6.5nF |
商品概述
MP20N40是采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，可降低传导损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。该晶体管适用于开关模式电源、高速开关和通用应用。
商品特性
- 快速开关
- 低Crss
- 100%雪崩测试
- 提高dv/dt能力
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 高频开关模式电源
- 电子镇流器