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CMD80R1K2
N沟道 耐压:800V 电流:4.5A
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- 描述
- COOLMOS，TO-252，N沟道，耐压：800V，电流：4.5A，10V内阻：1.2Ω，功率：39W，CISS(Typ)：390PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD80R1K2
- 商品编号
- C22391059
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.372克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 390pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 530pF |
商品特性
- 低导通电阻
- 出色的 ESD 鲁棒性
- 100% 雪崩测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 适配器
- PFC 电源级
- 开关应用