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CMD55N12
N沟道 耐压:120V 电流:55A
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- 描述
- MOS管，TO-252，N沟道，耐压：120V，电流：55A，10V内阻：18mΩ，4.5V内阻：20mΩ，功率：126W，CISS(Typ)：2900PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD55N12
- 商品编号
- C22391056
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3775克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 126W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 175pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
商品概述
P80NF70采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 80 V，ID = 90 A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 10mΩ
- 采用特殊工艺技术，具备高ESD能力
- 高密度单元设计，可降低Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高EAS，稳定性和一致性良好
- 采用出色的封装，散热性能良好
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源