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CMD55N12
N沟道 耐压:120V 电流:55A
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- 描述
- MOS管，TO-252，N沟道，耐压：120V，电流：55A，10V内阻：18mΩ，4.5V内阻：20mΩ，功率：126W，CISS(Typ)：2900PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD55N12
- 商品编号
- C22391056
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3775克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 126W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 175pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
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