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CMD180P03
P沟道 耐压:30V 电流:150A
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- 描述
- MOS管，TO-252，P沟道，耐压：-30V，电流：-150A，10V内阻：2.8mΩ，4.5V内阻：3.5mΩ，功率：140W，CISS(Typ)：6900PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD180P03
- 商品编号
- C22391054
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3785克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 163nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 52pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
CMB200N06采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 更低的导通电阻
- 100%保证EAS
- 驱动要求简单
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换器
- 负载开关
- 无刷直流电机驱动器