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CMB200N06
半导体*晶体管*场效应管
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- 描述
- MOS管，TO-263，N沟道，耐压：60V，电流：180A，10V内阻：2.6mΩ，功率：250W，CISS(Typ)：7800PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB200N06
- 商品编号
- C22391051
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.7455克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 7.85nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 930pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.35nF |