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CMD30DN03
N沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 描述
- CMD30DN03是一款高性能沟槽式双N沟道MOSFET，它采用极高的单元密度，以实现低导通电阻（Rdson）和低栅极电荷特性。它非常适合用于同步降压转换器应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD30DN03
- 商品编号
- C22364948
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 820pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 820pF |