温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CMSA30DN06
2个N沟道 耐压:60V 电流:30A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- CMSA30DN06采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于高性能汽车应用。60V、典型值14mΩ、30A双N沟道MOSFET
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA30DN06
- 商品编号
- C22364964
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1265克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 双N沟道MOSFET
- 100%雪崩测试
- 小尺寸封装(5x6mm),便于紧凑设计
- 符合RoHS标准
应用领域
-开关应用-电机驱动-汽车领域