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CMSL008N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:400A
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- 描述
- CMSL008N06采用先进的超级沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSL008N06
- 商品编号
- C22364968
- 商品封装
- TOLL-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.91克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 400A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2nF |
商品概述
CMSL008N06采用先进的超级沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 表面贴装封装
- 先进的沟槽单元设计
- 超级沟槽
- 符合RoHS标准
应用领域
- 液晶电视设备
- 液晶显示器设备
- 高功率逆变器系统