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CMSA100P04
1个P沟道 耐压:40V 电流:100A
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- 描述
- 这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关和电池保护应用。-40V、典型值5.8mΩ、-100A的P沟道MOSFET
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA100P04
- 商品编号
- C22364962
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5.3nF |