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CMSA20NP06
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- CMSA20NP06采用先进的沟槽技术MOSFET，可实现出色的RDS(ON)。互补型MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA20NP06
- 商品编号
- C22364963
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1225克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品概述
044N10B采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-DC/DC转换器-电源管理-LCD背光逆变器