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CMD80P06A
1个P沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- P-Channel增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于负载开关或PWM应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD80P06A
- 商品编号
- C22364952
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.365克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 135W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 175pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
60R078是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。它具有低栅极电荷和超快体二极管，因此关断性能得到改善。60R078在软开关应用中具有出色的性能，如效率和电磁干扰特性。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换器
- 负载开关
- 无刷直流电机驱动器