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CMF044N10B
1个N沟道 耐压:100V 电流:120A
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- 描述
- 采用先进的SGT技术，可提供出色的导通电阻。适用于高频开关和同步整流。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF044N10B
- 商品编号
- C22364954
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.57克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74nC | |
| 输入电容(Ciss) | 7.1nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 7.1nF |
商品概述
CMD30DN03是一款高性能沟槽式双N沟道MOSFET，采用极高的单元密度，具备低导通电阻（Rdson）和低栅极电荷特性。它非常适合用于同步降压转换器应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电机控制
- 电源同步整流
- 适用于升压转换器