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CMH029N10实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CMH029N10

1个N沟道 耐压:100V 电流:150A

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描述
CMH029N10采用先进的SGT技术,可提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品型号
CMH029N10
商品编号
C22364956
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.333333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)150A
导通电阻(RDS(on))2.9mΩ@10V
耗散功率(Pd)500W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
输入电容(Ciss)15nF
反向传输电容(Crss)850pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)4nF

商品概述

CMH029N10采用先进的SGT技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合高频开关和同步整流。

商品特性

  • 低导通电阻
  • 快速开关
  • 符合RoHS标准
  • 100V、典型值2.4mΩ、200A的N沟道MOSFET

应用领域

  • DC-AC转换器
  • 开关电源
  • 不间断电源(UPS)

数据手册PDF