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CMH029N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:150A
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- 描述
- CMH029N10采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMH029N10
- 商品编号
- C22364956
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.333333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 850pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4nF |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)。该器件适用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-交流转换器
- 开关电源
- 不间断电源(UPS)