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CMH60R078
1个N沟道 耐压:600V 电流:50A
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- 描述
- CMH60R078是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。它具有低栅极电荷和超快体二极管，因此关断性能得到改善。CMH60R078在软开关应用中具有出色的性能，如效率和电磁干扰（EMI）表现
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMH60R078
- 商品编号
- C22364957
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.333333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 266W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 3.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些功率MOSFET采用Cmos专有的平面条形DMOS技术制造。这些器件非常适合高效开关模式电源和有源功率因数校正。
商品特性
- 低栅极电荷
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 充电器
- 适配器
- 电源
- 镇流器